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nch mosfet 文章 最新資訊

iDEAL推出具有行業(yè)領先性價比的200 V SuperQ? MOSFET系列

  • ?iDEAL半導體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、高產量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進入量產的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
  • 關鍵字： iDEAL  MOSFET  

英飛凌OptiMOS? 6產品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET

  • 隨著全球汽車行業(yè)電氣化進程的加速，市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領域如此，電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持，例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質量標準的同時，能夠應對技術、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布擴展其OptiMOS? 6產品組合，推出新型車規(guī)級150V MOSFET產品系列。新產品專為滿足現(xiàn)代電動汽車的嚴苛要求量身打造，并
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  汽車電氣化  

iDEAL 半導體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領先的成本×性能

  • iDEAL 半導體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進入量產階段，另外還有四個 200V 器件正在進行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術的第一個重大進步，突破了長期存在的開關和導通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅固性、大規(guī)?？芍圃煨院驮?175°C 下經過驗證的可靠性。首個進入大規(guī)模生產的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
  • 關鍵字： MOSFET  選型MOS  新品  iDEAL  

東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

  • 中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發(fā)電機功率調節(jié)器等工業(yè)設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。  三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

SiC MOSFET 界面陷阱檢測升級：Force-I QSCV 方法詳解

  • 電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項優(yōu)勢。比如僅需 1 臺帶前
  • 關鍵字： SiC MOSFET  界面陷阱檢測  QSCV  泰克  

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

  • 山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現(xiàn)了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發(fā)表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導體器件。然而，這會導致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
  • 關鍵字： 1200V  全垂直  硅基氮化鎵  MOSFET  

英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  1200V  

iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術合作伙伴協(xié)議

  • 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
  • 關鍵字： iDEAL  Richardson  SuperQ  MOSFET  

固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結合以優(yōu)化SSR？

  • 固態(tài)繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調 （HVAC） 設備、工業(yè)過程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離?；?CT 的固態(tài)隔離器 （SSI） 包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
  • 關鍵字： 固態(tài)隔離器  MOSFET  IGBT  優(yōu)化SSR  

iDEAL的SuperQ技術正式量產，推出150V與200V MOSFET

  • iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現(xiàn)已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區(qū)域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性
  • 關鍵字： iDEAL  MOSFET  SuperQ  

選型必看！MOSFET四大非理想參數詳解

  • 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養(yǎng)。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統(tǒng)一。本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數。后續(xù)的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數的原因
  • 關鍵字： 選型指南  MOSFET  無源器件  

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
  • 關鍵字： onsemi  NCP51752  隔離式  SiC  MOSFET  閘極驅動器  評估板  

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

  • 在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統(tǒng)高效運行的關鍵組成部分。提高系統(tǒng)可靠性、減小系統(tǒng)尺寸以及縮減系統(tǒng)成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰(zhàn)。Wolfspeed 推出的工業(yè)級 C3M0900170x 和獲得車規(guī)級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列，可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
  • 關鍵字： Wolfspeed  MOSFET  輔助電源系統(tǒng)  

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  • 之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯(lián)合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業(yè)——上海海姆?？?/li>
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  豐田  純電車型  
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